モーサテ 中国、過去最大の7兆4000億円半導体ファンド設立で国産化加速

中国、過去最大の半導体ファンド設立

中国政府は、過去最大規模の半導体産業支援ファンドを設立しました。これまでに設立された2つの半導体ファンドに続くもので、今回のファンドは日本円で約7兆4000億円という規模を誇ります。

ファンドの概要

今回のファンドには、中国財政省が約17％を出資しており、主要株主には巨大な国有企業が名を連ねています。このファンド設立の背景には、米国による半導体輸出規制強化に対抗し、中国国内での先端半導体の国産化を急ぐ狙いがあります。

過去のファンドと比較

中国政府はこれまでにも半導体産業支援のために2つのファンドを設立してきましたが、今回のファンドはそのいずれよりも大規模です。以下に、過去のファンドと今回のファンドの比較を示します。

1. 第一ファンド（2014年設立）
• 資本金：約1兆7000億円
• 目的：半導体製造設備の導入と生産能力の向上
2. 第二ファンド（2019年設立）
• 資本金：約2兆円
• 目的：半導体製造技術の開発と技術革新の促進
3. 第三ファンド（2023年設立）
• 資本金：約7兆4000億円
• 目的：先端半導体の国産化、米国の輸出規制への対応

ファンド設立の背景

近年、米中間の技術競争が激化し、特に半導体分野では米国が中国への輸出規制を強化しています。これに対抗するため、中国政府は国内での先端半導体技術の開発と生産能力の向上を急いでいます。今回のファンドは、その一環として設立されました。

中国政府は、半導体産業の自主独立を目指し、国内の技術力を高めることで、外部からの圧力に対抗しようとしています。特に、半導体の国産化は中国の経済安全保障において重要な課題となっています。

今後の展望

この新たなファンドによって、中国の半導体産業はさらに強化されることが期待されます。特に、ファンドからの資金が先端技術の研究開発や製造設備の導入に充てられることで、中国国内での半導体生産能力が飛躍的に向上するでしょう。

一方で、米中間の技術競争は今後も続く見込みであり、中国がどの程度まで国産化を進められるかが注目されます。今回のファンドが中国の半導体産業に与える影響は、今後の技術開発や市場動向によって左右されるでしょう。